برای محاسبه­ی دامنه­ نوسان، ابتدا باید جریان ترانزیستورها را محاسبه کرد.

به دلیل کاهش زاویه­ی هدایت و قابل توجه بودن دامنه­ نوسان، ترانزیستور ۳ ناحیه کاری را می ­تواند تجربه کند که در رابطه­ (۳-۲۳) به­ طور خلاصه برای ترانزیستور M₁ بیان شده است.

با توجه به روابط (۳-۲۳) کران­های این نواحی محاسبه می­ شود.

و

بنابراین زاویه­ای که به ازای آن ترانزیستور M₁ وارد ناحیه­ی تریود می­ شود عبارت است از

با توجه به محاسبات فوق می­توان شکل جریان ترانزیستور M₁ را در یک سیکل نوسان نمایش داد، شکل (۳-۸). زاویه­ی هدایت برای ترانزیستور فرض شده است. ناحیه­ی ۱ و ۳ ناحیه­ی اشباع و ناحیه­ی ۲ ناحیه­ی تریود است و در باقی نقاط نیز ترانزیستور قطع است.

فرم جریان ترانزیستور M₁ در نوسان‌ساز شکل (۳-۶)
بنابراین برای ترانزیستور M₁ به­ طور کلی می­توان نواحی زیر را تعریف کرد

ابتدا ترانزیستور (M₁) در حالت اشباع فرض می­ شود. بنابراین جریان درین آن برابر است با

با نظر به اینکه به ازای جریان درین صفر می­ شود، از رابطه (۳-۲۷) می­توان مقدار V₁ را برحسب محاسبه کرد

بنابراین جریان درین برابر است با

و مولفه­ی DC این جریان طبق تعریف برابر است با

در ناحیه­ی۳ ( ) نیز ترانزیستور M₁ در اشباع به سر می­برد و مولفه­ی DC جریان در این ناحیه نیز با ناحیه ۱ برابر است ( ).
در ناحیه­ی ۲ (( ترانزیستور M1 در تریود بسر می­برد و فرم جریان در آن به صورت زیر است

که در آن پارامترهای B₁ و B₂ و B₃ بصورت زیر تعریف می­شوند

بنابراین مولفه­ی DC جریان این ناحیه نیز به صورت زیر قابل محاسبه است.

این ساختار با اعمال نیمه مدار در واقع ترکیبی از نوسان‌ساز LC و کولپیتس می­باشد. در شکل (۳-۹) این مفهوم نشان داده شده است.
اعمال نیمه مدار در نوسان‌ساز شکل (۳-۶)
از آنجایی که امپدانس خازن در برابر امپدانس منبع جریان کوچک است، می­توان امپدانس دیده شده از گره­ی V_s را برابر با امپدانس خازن در نظر گرفت. بنابراین در این ساختار نیز رابطه ولتاژ خازن­های موجود در نوسان‌ساز کولپیتس برقرار می­باشد. این بیان با شبیه­سازی نیز اثبات شده است. بنابراین رابطه­ زیر را در این ساختار صادق است

با جایگذاری این رابطه درB_i (i=1,2,3)ها و I_o2 و نیز با توجه به اینکه ، به روابط زیر نتیجه می­ شود

بنابراین I_o2 نیز به صورت زیر قابل محاسبه است

بنابراین کل مولفه DC جریان وارد شده به تانک برابر است با

با بهره گرفتن از بسط توابع مثلثاتی روابط (۳-۳۸) سری تیلور توابع سینوسی و کسینوسی را نوشته و با ساده کردن برای توان­های پایین زاویه­ی هدایت عبارت زیر برای I_o به دست می ­آید

که در آن A دامنه­ نوسان، m نسبت خازن­ها در ساختار کولپیتس و Ө نصف زاویه­ی هدایت ترانزیستور است. با مشخص بودن I0 و دیگر پارامترهای مدار می­توان دامنه­ نوسان را بر حسب زاویه­ی هدایت ترانزیستور محاسبه کرد.

در این ساختار کاهش زاویه­ی هدایت از طریق افزایش پارامتر m یعنی کاهش خازن C_s ناشی می­ شود. هرچه m بزرگتر باشد زاویه هدایت ترانزیستور بیشتر کاهش می­یابد. مشکلی که در اینجا وجود دارد این است که افزایش m سبب کاهش دامنه­ نوسان و کاهش زاویه­ی هدایت سبب افزایش دامنه­ نوسان می­ شود. بنابراین باید یک حالت بهینه را برای پارامتر m و زاویه­ی هدایت ترانزیستور درنظر گرفت تا بهترین عملکرد را برای نوسان‌ساز به دنبال داشت. در واقع کاهش خازن C_s (که منجر به افزایش m می­ شود) را تاجایی ادامه داده که کاهش دامنه­ رخ ندهد.
به بیان دقیق­تر در ساختار پیشنهادی خازن­هایی به موازات ترانزیستورهای سوئیچ قرار گرفته است و این خازن­ها بخشی از جریانی که از ترانزیستورهای دنباله به نوسان‌ساز تزریق می­شوند را متحمل می­شوند و جریان عبوری از ترانزیستورهای سوئیچ در نقاط حساس به نویز را کاهش می­دهد ولی در مجموع هارمونیک اول جریانی که در محاسبه­ی دامنه­ نوسان خروجی نقش دارد تقریبا بدون تغییر است. به همین علت دامنه­ نوسان خروجی تغییر چندانی نمی­کند و عامل بهبودی نویز فاز در ساختار پیشنهادی کاهش مقدار موثر تابع حساسیت ضربه­ی ترانزیستورهای سوئیچ از طریق کاهش زاویه­ی هدایت آنها است.